机译:低温缓冲层和层厚度在蓝宝石上GaN的OMVPE生长优化中的作用
Center for High Technology Materials, University of New Mexico, Albuquerque, NM 87131;
GaN; metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD); mobility;
机译:低温沉积的缓冲层在蓝宝石上生长GaN层以及通过镁掺杂和电子束辐照实现p型GaN(诺贝尔讲座)
机译:通过形成具有柱状微结构的低温GaN缓冲层,在蓝宝石衬底上生长较少弯曲的GaN外延层
机译:通过低温沉积缓冲层在蓝宝石上生长GaN,以及通过掺Mg和低能电子束辐照实现p型GaN(诺贝尔讲座)
机译:A1N缓冲层生长温度对MOCVD在R面蓝宝石中生长的平面甘蓝
机译:氮化镓/蓝宝石界面和蓝宝石衬底上缓冲层的TEM表征通过MOCVD。
机译:OMVPE制备的GaN外延层的碳掺入与生长速率之间的关系
机译:优化GaN卤化物气相外延生长的低温GaN缓冲层