机译:薄GaAs界面层对金属有机气相外延生长在InGaAs / InP上的InAs量子点的影响
Jet Propulsion Laboratory, California Institute of Technology, MS 302-306, 4800 Oak Grove Drive, Pasadena, CA 91109, USA;
A1. nanostructures; A3. metalorganic vapor phase epitaxy; B2. semiconductoring Ⅲ-Ⅴ materials;
机译:带有薄GaAs夹层的金属有机气相外延在平面InP(1 0 0)上InAs量子点生长
机译:发射通过金属有机气相外延生长的波长可调(1.55μm区域)InAs / InGaAsP / InP(100)量子点
机译:金属有机气相外延生长的InGaAsP / InP(100)中的波长可调(1.55-μm区域)InAs量子点
机译:金属有机气相外延生长InP(100)上的InAs量子点
机译:利用金属有机分子束外延生长和表征高速掺C的基极InP / InGaAs异质结双极晶体管。
机译:高衬底温度下通过液滴外延生长的单个InGaAs / GaAs量子点的单光子发射
机译:由金属 - 有机气相外延生长的InGaASP / InP(100)中的波长可调(1.55-μm区域)InAs量子点