...
机译:Al在间隔层中对InP(311)B上堆叠的InAs量子点结构形成的作用
Communications Research Laboratory, CRL, 4-2-1 Nukui-Kitamachi, Koganei, Tokyo 184-8795, Japan;
A1. low dimensional structures; A1. nanostructures; A3. molecular beam epitaxy; A3. superlattices; B2. semiconductor Ⅲ-Ⅴ materials;
机译:在InP(311)B衬底上生长的自组装InAs量子点:缓冲层的作用和沉积的InAs量
机译:在具有减少的量子点堆叠的1.54μmInAs / InP(311)B量子点激光器中演示低阈值电流
机译:InAs / InP量子点堆叠:间隔层对光学性能的影响
机译:InP(311)衬底上高度堆叠的InAs量子点层的非线性吸收
机译:在2-D电场下探索InAs / GaAs量子点和量子点分子中的单孔状态
机译:分层约束空间中单层形成石墨烯量子点的结构观察
机译:通过自组织各向异性应变工程在InGaAsP / InP(100)上的波长控制的多层堆叠线性InAs量子点阵列:自排序量子点晶体