机译:噪声水平对拟合原位光反射光谱的影响
National Institute of Standards and Technology, Optoelectronics Institute, 325 Broadway, Boulder, CO 80305, USA;
A1. characterization; A3. molecular beam epitaxy; B2. semiconducting aluminum compounds; B2. semiconducting gallium compounds;
机译:反射差光谱法作为光学探针原位确定GaAs中的掺杂水平
机译:漫反射光谱反拟合方法的定量多层皮肤光学性质的验证
机译:从光谱线形状拟合中提取的标准具与信号强度的耦合模型和预测最佳扫描范围的方法-多普勒增宽,抗噪声,腔增强的光学外差分子光谱学(低至9 x 10(-14) )厘米(-1)
机译:噪声水平对拟合原位光反射光谱数据的影响
机译:上皮组织光学特性的原位测量:漫反射光谱技术的开发和实施
机译:衰减全反射傅里叶变换红外光谱原位监测萤光假单胞菌生物膜对低营养水中溶解性有机碳含量变化的响应
机译:噪声水平对拟合原位光反射光谱数据的影响
机译:光学激发对半导体自旋噪声光谱的影响。