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机译:载气对金属有机化学气相沉积在r面蓝宝石衬底上生长的a面GaN膜应力的影响
State Key Laboratory for Surface Physics, Institute of Physics, Chinese Academy of Sciences, Group 605, P.O. Box 603, Beijing 100080, China;
A3. metalorganic chemical vapor deposition; B1. nitrides;
机译:通过脉冲激光沉积和金属有机化学气相沉积相结合在r面蓝宝石衬底上生长的高质量非极性a面GaN外延膜
机译:衬底氮化对金属有机化学气相沉积在r面蓝宝石上非极性a面GaN生长的影响
机译:金属有机化学气相沉积在(1102)r面蓝宝石上生长的Si掺杂(1120)a面GaN的光致发光研究
机译:金属气相化学沉积法通过高温AlN成核层生长在R平面蓝宝石上的非极性A平面甘薄膜的结构和光学表征
机译:通过金属有机化学气相沉积在R平面氧化铝上生长的氧化锌薄膜的特性。
机译:金属有机化学气相沉积在蓝宝石衬底上生长的低Al成分p-GaN / Mg掺杂Al0.25Ga0.75N / n + -GaN极化诱导的反向隧穿结
机译:金属有机汽相外延生长在a面蓝宝石上的GaN薄膜的面内应变各向异性和晶格参数
机译:低压金属有机化学气相沉积法研究基面蓝宝石和siC衬底上alN和GaN层初始生长的微观结构比较