机译:实时椭圆偏振光谱法在4H-SiC上GaN分子束外延成核和生长模式
CNR, IMIP, Inst Inorgan Methodol & Plasmas, I-70126 Bari, Italy;
ellipsometry; MBE; SiC; GaN; LATTICE-RELAXATION; BUFFER LAYERS; 6H-SIC(0001); NITRIDATION; SUBSTRATE; SURFACES; STRAIN;
机译:等离子体辅助分子束外延生长同质外延GaN的实时光谱椭偏研究
机译:基于M平面膜的偏振敏感器件的分子束外延III氮化物生长,通过光谱椭偏仪进行原位实时分析
机译:金属有机气相外延中GaN形核层在蓝宝石上生长和退火的原位光谱椭偏研究
机译:AlGaAs / GaAs分子束外延期间在高衬底温度下通过椭圆偏振光谱和解吸质谱进行实时监控
机译:实时光谱椭偏仪及其在分子束外延处理钇钡氧化铜薄膜中的应用。
机译:分子束外延在独立式GaN光栅上InGaN / GaN量子阱的图案生长
机译:等离子体辅助分子束外延在Si(111)表面上成核和生长GaN纳米棒-Si和Mg掺杂的影响