机译:室温下通过Ar束表面活化直接粘合两个晶体基板
Natl Inst Adv Ind Sci & Technol, Adv Mfg Res Inst, Tsukuba, Ibaraki 3058564, Japan;
bonding; surface processes; sapphire; piezoelectric materials; semiconducting silicon; SILICON-ON-INSULATOR; WAFER; GD3GA5O12; DEVICES; INP; SI;
机译:使用Ar束表面活化将GaN与Al进行室温键合
机译:通过Ar束表面活化将硅与LiNbO3,LiTaO3和Gd3Ga5O12进行室温晶片键合
机译:基于表面活化结合法的聚酰亚胺薄膜与玻璃基板的室温结合与分离
机译:氩气束表面活化处理氧化硅晶圆的室温键合
机译:氢诱导金属单晶表面上的碳氮键活化。
机译:金膜厚度和表面粗糙度对室温晶圆键合和金-金表面活化键合的晶圆级真空密封的影响
机译:用表面活性键合(SAB)法接触CMP-Cu薄膜室温直接粘合真空条件的影响
机译:直接测量晶体 - 熔合边界上的相间表面能和确定新相生长活化能的温度依赖性