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机译:取向光学晶片上厚GaAs的外延生长,用于非线性光学应用
Air Force Research Laboratory, Hanscom AFB, MA 01731, USA;
A1. Hydride vapor phase epitaxy; B2. Gallium arsenide;
机译:氢化物气相外延在晶片融合的GaAs模板上厚厚地定向生长GaP的频率转换
机译:氢化物气相外延在晶片融合的GaAs模板上厚厚地定向生长GaP的频率转换
机译:用于非线性光学器件的定向图案模板GaAs / Ge / GaAs。 II。 调查性质
机译:用于非线性光学应用的0.5 mm厚取向取向GaAs薄膜的特性
机译:厚膜,取向图案的砷化镓,用于非线性光学频率转换。
机译:位置可获取的低密度GaAs液滴外延量子点的结构和光学性质用于等离激元光学耦合的单光子源
机译:位置可检索的低密度GaAs液滴外延量子点的结构和光学性能,用于应用于具有等离子体光学耦合的单光子源
机译:用于IR和THZ生成的mm-厚取向图案Gaas的生长