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机译:具有均匀组成的Ga_(1-x)In_xAs单晶的液体封装Czochralski生长
PPD Inc., Madison. WI USA;
A1. Segregation; A2. Czochralski method; A2. Double Crucible technique; A2. Liquid-encapsulated Czochralski method; B2. Semiconducting Ⅲ-Ⅴ materials; B2. Semiconducting ternary compounds;
机译:具有均匀组成(x = 0.02)的富含Ge的Si_xGe_(1-x)单晶在用作GaAs太阳能电池的成分渐变晶体上的生长
机译:常规切克劳斯基拉制法生长Ga_(1-x)In_xSb合金晶体
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机译:Czochralski gd_(1-x)YB_XF_3单晶及其性质的生长
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机译:($ Lu_ {1-x} Gd_ {x})_ {2} SiO_ {5} $:Dy单晶的Czochralski生长:结构,光学和介电特性
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