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机译:使用DMHy和NH_3的新型反应器在MOVPE中生长GaN材料
Laboratoire Materiaux Optiques, Photonique et Systemes—UMR CNRS 7132, Universite de Metz and SUPELEC, 2 rue E. Belin 57070 METZ, France;
A1. Micro-Raman spectroscopy; A3. Low-temperature epitaxy; A3. Metal organic vapour-phase epitaxy; A3. New reactor design; B2. Gallium nitride;
机译:GaN-MOVPE生长中TMGa / NH_3 / H_2反应体系的计算机模拟分析
机译:用于氮化镓材料制造的Ga 3D结构的MOVPE生长
机译:Movpe在R面蓝宝石上生长A面Gan的反应堆压力依赖性
机译:移动式行星反应器〜circR的可再现性和均匀性,用于GaN基材料的生长
机译:用于短波长多量子阱光学调制器应用的锌硒基材料的MOVPE生长和表征。
机译:MOVPE紧密耦合喷头反应器中的喷头-样品距离(GAP)对GaN生长的影响
机译:淋浴喷头 - 样本距离(间隙)在Movpe关闭耦合淋浴喷头反应器对GaN生长的影响