机译:Movpe在R面蓝宝石上生长A面Gan的反应堆压力依赖性
Department of Electrical and Electronic Engineering, Graduate School of Engineering, Mie University, 1577 Kurima-machiya, Tsu 514-8507, Japan;
a3. movpe; b1. a-plane gan; b1. nitrides;
机译:r面蓝宝石上a面GaN的直接MOVPE和MBE生长
机译:通过MOVPE在r平面(1102)蓝宝石上的a平面GaN缓冲层上生长的a平面(1120)InN的优化
机译:r面蓝宝石上a面InGaN / GaN多量子阱的光学和结构特性的生长压力依赖性
机译:直接Movpe-和Mbe-Grange-Plane蓝宝石的飞机GaN
机译:在r面蓝宝石衬底上生长异质外延单晶铌酸铅镁钛酸铅薄膜。
机译:R平面蓝宝石上外延横向过生长非极性a平面GaN的空间分辨和依赖于方向的拉曼映射
机译:通过HVPE生长的R面蓝宝石对1000℃的生长温度和V / III比率的影响