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机译:异位错配位错的核心效应
Department of Physics, Nagoya University, Furo-cho, Chikusa-ku, Nagoya 464-8602, Japan;
A1. Adsorption; A1. Line defects; A1. Nanostructures; A1. Stresses; A3. Atomic layer epitaxy; A3. Vapor phase epitaxy;
机译:复杂氧化物异质外延错配位错核心相
机译:通过预先存在的螺纹位错滑移(1122)半极性异质外延形成错配位错
机译:PbTe / PbSe(001)异位错配位错的多尺度研究
机译:使用分级层的in_xga_(1-x)n / gaN异腔的错位脱位减少
机译:使用界面失配阵列的极端晶格失配异质性的显微镜研究
机译:通过Si纳米尖端晶片上的与图案无关的选择性Ge异质外延实现无位错的Ge纳米晶体。
机译:复合氧化物异质中的错配脱位核心相
机译:大错配系统中的外延和错配位错