机译:在不同生长温度下生长P-gan层的Ingan / gan Mqws的发射和微结构行为
School of Advanced Materials Science and Engineering, Sungkyunkwan University, 300 Cheoncheon-dong, Jangan-gu, Suwon, Cyeonggi-do 440-746, Republic of Korea;
a1. doping; a3. metalorganic chemical vapor deposition; b2. semiconducting gallium compounds; b3. light emitting diodes;
机译:p-GaN层中的Mg涨落及其对取决于p-GaN生长温度的InGaN / GaN蓝色发光二极管的影响
机译:较低温度的p-GaN粗糙表面提高了InGaN / GaN MQW LED的光输出功率
机译:发光二极管中不同间隔层对p-GaN的应变变化及其微结构和发射行为
机译:使用p-InGaN和p-InGaN / p-GaN超晶格作为p型层的InGaN MQW绿色LED
机译:高性能紫外线光电探测器和LED和光电探测器的单片集成在SI上生长的P-GAN / AlGaN / GaN异质结构上的LED和PhotoTopetector
机译:聚苯乙烯纳米光学光刻法制备的光子晶体结构P-GAN纳米棒的研究提高了INGAN / GAN绿色发光二极管光提取效率
机译:mOCVD生长InGaN弹性体和InGaN / GaN量子阱中异常温度相关发射偏移的载流子动力学