机译:温度对Movpe应变Gaas_(1-y)sb_y / gaas(y> 0.4)量子阱生长的影响
Institute of Microelectronics, and Department of Electrical Engineering, National Cheng Kung University, No.1 University Road, Tainan 70101, Taiwan;
a1. photoluminescence; a1. x-ray diffraction; a3. metalorganic vapor-phase epitaxy; a3. quantum well; b1. antimonides; b2. semiconducting ternary compounds;
机译:InP发射极和GaAs_(1-y)Sb_y之间应变的GaAs隔离层对MOCVD生长的InP / GaAs_(1-y)Sb_y / InP DHBTs的结构性能和电学特性的影响
机译:InP衬底上应变GaAs_(1-y)Sb_y和GaAs_(1-y-z)Sb_yN_z量子阱的生长
机译:金属有机气相外延生长应变GaAs_(1-y)Sb_y层
机译:通过横截面透射电子显微镜确定GaAs_(1-Y)Sb_y量子孔和超晶片的结构和组成
机译:(111)A砷化镓上的压电铟砷化镓/砷化镓应变量子阱结构:MOVPE的生长,性质及其在半导体激光器中的应用。
机译:退火生长的n型和p型调制掺杂GaInNAs / GaAs应变量子阱结构的磁输运研究
机译:111 A取向压电InGaAs / GaAs / AlGaAs高应变量子阱激光器结构的MOVPE生长和性能
机译:用mOVpE生长的压缩应变InGaas / Inp量子阱的红外发光(1.6-1.9μm)。