机译:外延生长的金属有机化学气相沉积减少Gaas气体的位错
Institute for Nano Quantum Information Electronics, University of Tokyo, 4-6-1, Komaba, Meguro, Tokyo 153-0041, Japan;
a3. metalorganic chemical vapor deposition; a3. selective epitaxy; b1. antimonides; b2. semiconducting gallium compounds;
机译:金属有机化学气相沉积法制备的InP / GaAs(100)异质结构的外延横向过生长
机译:Sb和Ga中间层对金属有机化学气相沉积生长GaAs上外延GaSb界面层性能的影响
机译:金属有机化学气相沉积氮极(0001)GaN的外延横向过生长
机译:金属有机化学气相沉积法在m平面6H-SiC上外延生长(1100)m平面GaN
机译:氮化镓的外延横向过长的实验研究和氮化镓金属有机化学气相沉积过程的模拟。
机译:具有可控AsxSb1-x界面的InAs / GaSb II型超晶格的金属有机化学气相沉积生长
机译:金属有机化学气相沉积法形成的a面GaN的外延横向过生长
机译:Gaas和Gaalas有机金属化学气相沉积的外侧外延过度生长。