机译:Ingan / gan多量子阱中电致发光的温度和电流依赖性
Department of Electrical Engineering, Technology and Science Institute of Northern Taiwan, Peitou, Taipei 112, Taiwan, ROC;
a1. characterization; a3. metalorganic vapor phase epitaxy; b1. nanomaterials; b2. semiconducting indium compounds; b3. light-emitting diodes;
机译:脉冲电流条件下InGaN / GaN多量子阱发光二极管中电致发光跃迁能量的注入电流依赖性
机译:光和电光作用下多量子阱InGaN / GaN结构的量子效率的温度依赖性
机译:注入电流和温度对InGaN / GaN多量子阱中电致发光的影响
机译:大功率蓝色InGaN / GaN多量子阱发光二极管中随温度变化的电致发光研究
机译:以极性,半极性和非极性方向生长的InGaN / GaN多量子阱发光二极管。
机译:具有不同铟含量和不同阱宽度的InGaN / GaN多量子阱基LED的电致发光特性
机译:错误:“电致发光转变能量在脉冲电流条件下的脉冲/ GaN多量子阱发光二极管中的电致发光过渡能量的注射电流依赖性”J。苹果。物理。 118,033101(2015)