机译:采用Movpe选择性区域生长的双帽法从Inas / inp Qds进行宽带波长电致发光
Department of Electrical and Electronics Engineering, Sophia University, 7-1 Kioi-cho, Chiyoda-ku, Tokyo 102-8554, Japan;
a3. metal-organic vapor-phase epitaxy; a3. quantum dots (qds); a3. selective epitaxy; b2. inas/inp; b2. semiconducting Ⅲ-Ⅴ materials;
机译:Gasxin_(1-x)作为盖层的Inas / inp Qds,采用Movpe选择性区域生长的双帽工艺
机译:使用双帽法对InAs QD进行选择性MOVPE生长
机译:通过使用MOVPE选择性区域生长的双封顶工艺生长的宽发射波长InAs / InP量子点
机译:使用选择性MOVPE生长和双电容工艺的InAs / InP QD宽带LED
机译:用于短波长多量子阱光学调制器应用的锌硒基材料的MOVPE生长和表征。
机译:站点选择性地生长INAS / INP量子点的光学性质具有通过嵌段共聚物光刻预定定位的预定定位
机译:亚微米与位置和数字控制INAS / INP(100)量子点(1.55μm波长区域)的主动被动集成通过选择区生长