机译:金属有机化学气相沉积法生长具有Sin_x插入层的A面plane的特性
Department of Photonics and Institute of Electro-Optical Engineering, National Chiao Tung University, 1001 Ta Hsueh Road, Hsinchu 30050, Taiwan;
机译:通过有机金属化学气相沉积法在带图案的蓝宝石衬底上生长具有SiN_x中间层的a面InGaN发光二极管的特性
机译:利用原位SiN_x纳米网络通过金属有机化学气相沉积法生长的GaN外延层中的缺陷减少
机译:通过脉冲激光沉积和金属有机化学气相沉积相结合在r面蓝宝石衬底上生长的高质量非极性a面GaN外延膜
机译:金属气相化学沉积法通过高温AlN成核层生长在R平面蓝宝石上的非极性A平面甘薄膜的结构和光学表征
机译:通过固体源金属有机化学气相沉积法生长的外延氧化物薄膜。
机译:金属有机化学气相沉积在蓝宝石衬底上生长的低Al成分p-GaN / Mg掺杂Al0.25Ga0.75N / n + -GaN极化诱导的反向隧穿结
机译:通过金属 - 有机化学气相沉积合成的erbium-掺杂的A面GaN外膜。