机译:大气压下原位掺磷硅的选择性外延生长特性
Semiconductor Technology Development Division, Semiconductor Business Group, Sony Corporation, 4-14-1 Asahi-cho, Atsugi, Kanagawa 243-0014, Japan;
A1. Etching; A1. Segregation; A3. Chemical vapor deposition processes; A3. Selective epitaxy;
机译:磷植入磷掺杂Si的应变特性及接触电阻与原位磷掺杂Si外延生长的比较
机译:掺杂剂浓度对干燥氧化过程中原位磷掺杂外延硅膜的微观结构和菌株状态的影响
机译:大气压-化学气相沉积法在Ge上进行无掺杂和原位掺杂B掺杂的GeSn外延生长
机译:大气压力选择性外延生长的大量原位磷掺杂的Si(:c)凸起来源和排水管
机译:通过管状热壁低压化学气相沉积系统选择性外延生长硅锗。
机译:用于垂直晶体管应用的磷掺杂硅/硅锗多层结构的生长和选择性蚀刻
机译:通过常压 - 化学气相沉积在Ge上进行未掺杂和原位B掺杂的Gesn外延生长
机译:选择性蚀刻硅选择性区域外延生长