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机译:等离子体辅助分子束外延生长InGaN和InGaN / InGaN量子阱
Institute of High Pressure Physics, Polish Academy of Sciences, 01-142 Warszawa, Poland;
A1. Low dimensional structures; B1. Nitrides; B2. Semiconducting Ⅲ-Ⅴ materials; A3. Molecular beam epitaxy;
机译:等离子体辅助分子束外延生长的InGaN / InGaN量子阱的光致发光特性:氮和镓通量的影响
机译:InGaN在(0001)GaN上的等离子辅助分子束外延生长图,用于InGaN组成牌号的优化合成
机译:高生长温度下绿色发射InGaN / GaN单量子阱的等离子体辅助分子束外延生长机理
机译:等离子体辅助分子束外延在Ga极性GaN上InGaN / GaN多量子阱的生长和表征
机译:金属有机气相外延生长高质量InGaN的研究
机译:分子束外延在独立式GaN光栅上InGaN / GaN量子阱的图案生长
机译:基于等离子体辅助分子束外延生长的InGaN量子点的蓝绿红LED