机译:实时监测的生长中断对分子束外延生长在蓝宝石上的AlN外延层晶体质量的影响
Key Laboratory of Acoustic and Photonic Materials and Devices of Ministry of Education, Department of Physics, Wuhan University, Wuhan 430072, China;
Key Laboratory of Acoustic and Photonic Materials and Devices of Ministry of Education, Department of Physics, Wuhan University, Wuhan 430072, China;
Key Laboratory of Acoustic and Photonic Materials and Devices of Ministry of Education, Department of Physics, Wuhan University, Wuhan 430072, China;
A1. Line defects; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting Ⅲ-V materials;
机译:通过高温分子束外延直接在蓝宝石上直接生长菌株超薄Aln癫痫术
机译:AlN缓冲层对等离子辅助分子束外延生长在Al_2O_3衬底上GaN外延层的结构和光学性能的影响
机译:通过分子束外延在R面蓝宝石衬底上生长的AlN和GaN薄膜的生长动力学
机译:SiC表面控制对分子束外延生长的初始生长模式和晶体质量的影响
机译:分子束外延生长的砷化镓锰外延层和异质结构的电输运研究。
机译:氢化物气相外延生长在AlN纳米图案蓝宝石模板上的AlGaN外延层的结构和应力特性
机译:使用等离子体辅助分子束外延生长的AlN脱蛋白的第一阶段生长操纵和SiC衬底极性的影响
机译:分子束外延和反应沉积外延生长Cosi2 / si异质结构的均匀性和结晶质量