机译:双向升华方法对新型SiC生长系统的数值模拟
Research Institute for Applied Mechanics, Kyushu University, 6-7 Kasuga-koen, Kasuga, Fukuoka 816-8580, Japan;
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, Tsukuba Central 2, 1-1-1 Umezono, Tsukuba 305-8568, Japan;
Research Institute for Applied Mechanics, Kyushu University, 6-7 Kasuga-koen, Kasuga, Fukuoka 816-8580, Japan;
A1. Computer simulation; A1. Heat transfer; A1. Substrates; A2. Growth from vapor;
机译:WIAS-HiTNIHS对SiC单晶升华生长过程中温度场的数值模拟。
机译:开放系统升华法在6h-sic衬底上单晶生长氮化铝
机译:通过热力模拟通过氢-CVD或Si升华SiC的石墨烯生长的比较研究
机译:SiC升华生长系统温度分布的数值模拟
机译:Hg(1-x)Cd(x)Te晶体的行进加热法生长的理论研究和数值模拟
机译:反应性流体-颗粒的直接数值模拟使用浸入边界方法的系统
机译:用WIas-HiTNIHs对siC单晶升华过程中温度场的数值模拟
机译:生长温度与升华法生长siC晶体结构的关系