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机译:非接触坩埚法生长高质量的多晶硅锭
Graduate School of Energy Science, Kyoto University, Yoshida, Sakyo-ku, Kyoto 606-8501, Japan;
Graduate School of Energy Science, Kyoto University, Yoshida, Sakyo-ku, Kyoto 606-8501, Japan;
Graduate School of Energy Science, Kyoto University, Yoshida, Sakyo-ku, Kyoto 606-8501, Japan;
Institute for Materials Research, Tohoku University, Katahira 2-1-1, Aoba-ku, Sendai 980-8577, Japan;
A1. crystal structure; A2. growth from melt; A2. top-seeded solution growth; B2. semiconducting silicon; B3. solar cells;
机译:利用非接触坩埚法生长多晶硅锭以降低应力
机译:为实现使用设计的双坩埚来生长大规模高质量多晶硅锭的浮动铸造方法的实现
机译:非接触坩埚法在具有Si_3N_4涂层的石英坩埚生长的Si锭表面形成Si_3N_4颗粒的过程
机译:用树枝状浇铸法和非接触坩埚法生长用于太阳能电池的高质量Si多晶锭
机译:定向凝固系统(DSS)中多晶硅生长的数值模型
机译:集成选择性外延生长和选择性湿法刻蚀制造高质量和应变松弛的GeSn微盘
机译:定向凝固法在太阳能电池应用中生长和表征多晶硅锭
机译:连续的Czochralski增长。开发先进的Czochralski生长工艺,从单坩埚生产低成本150 Kg硅锭,实现技术准备