机译:InGaP / GaAs / InGaP量子阱中界面的形成
MOCVD growth; heterostructure interface; InGaP/GaAs/InGaP quantum wells; switching sequences; photoluminescence;
机译:暗场法检测MOVPE InGaP / GaAs中GaAs-on-InGaP接口处的中间层
机译:InGaP / GaAs与GaAs / InGaP异质体系之间界面的热力学研究
机译:InGaP / GaAs和GaAs / InGaP异质结构突然界面的热力学分析
机译:0.98 / spl mu / m带有GaAs / InGaP超晶格光学限制层的InGaAs / InGaP应变量子阱激光器
机译:GaP和GaAsP上的应变平衡InGaP / InGaP多量子阱电吸收调制器。
机译:电子束法表征MOCVD InGaP / GaAs结中界面处多余层的化学性质
机译:在Gaas衬底上通过金属有机化学气相沉积生长的InGaas / InGaasp / InGap量子阱激光二极管的界面结构
机译:INGap / Gaas量子阱红外光电探测器