机译:干法刻蚀后用于硅外延选择性生长的低热预算表面清洁
A1.Defects; A1.Etching; A3.Chemical vapor deposition processes;
机译:低热预算选择性外延生长,用于形成升高的源/漏MOS晶体管
机译:在Si_(1-x)Ge_x的选择性化学蚀刻后,硅覆盖层的外延生长以减轻粗糙度
机译:硅表面通过保护氧化和氢终止清洁和外延生长
机译:干法腐蚀去除对硅选择性外延生长的影响
机译:低能离子束与硅的相互作用:清洁,蚀刻和薄膜生长。
机译:集成选择性外延生长和选择性湿法刻蚀制造高质量和应变松弛的GeSn微盘
机译:选择性硅外延的低热预算原位表面清洗
机译:选择性蚀刻硅选择性区域外延生长