机译:1 / f噪声:由于随机陷阱带电,45 nm器件技术中的阈值电压和导通电流波动
Arizona State University, Tempe, AZ 85287-5706, USA;
Arizona State University, Tempe, AZ 85287-5706, USA;
random dopant fluctuations; random telegraph noise fluctuations; monte carlo device simulations;
机译:45纳米沟道长度常规MOSFET器件中随机电报噪声的静态分析:阈值电压和导通电流波动
机译:存在随机陷阱和随机掺杂的45nm沟道长度MOSFET器件阈值电压波动估计的精确模型
机译:考虑随机掺杂波动模型以准确预测45 nm及更高工艺中的金属氧化物半导体场效应晶体管的阈值电压变化
机译:基于迁移率和掺杂物数量波动的模型的比较分析,用于在存在随机陷阱和随机掺杂物的情况下估算45 nm沟道长度MOSFET器件中的阈值电压波动
机译:45 nm栅极长度n-MOSFET陷阱引起的阈值电压波动仿真的比较分析和分析模型预测。
机译:在存在随机界面陷阱的情况下16nm栅极高κ/金属栅极体FinFET器件的电特性波动
机译:梯形近似用于45nm非直线栅极形状的电流建模
机译:50 nm外延通道mOsFET中的随机掺杂阈值电压波动:3D'原子'模拟研究