机译:源极和漏极触点在纳米线晶体管中对自热效应的作用
Department of ECEE, Arizona State University, Tempe,AZ 85287-5706, USA;
Intel Corp., Chandler, AZ, USA;
Department of El, Univ. Sts. Cyril and Methodi, Skopje, 1000,Republic of Macedonia;
Department of ECEE, Arizona State University, Tempe,AZ 85287-5706, USA;
analytic bands MC device modeling;
机译:具有硅化镍源极/漏极触点的超短沟道硅纳米线晶体管
机译:具有用于源极和漏极的掺杂外延触点的纳米线金属氧化物半导体场效应晶体管
机译:具有肖特基接触源极和漏极的增强模式纳米线(nanobelt)场效应晶体管
机译:源极和漏极触点对纳米线晶体管自热效应的作用
机译:纳米线晶体管中的自热效应
机译:带有石墨烯和钛源极-漏极触点的二维MoS2场效应晶体管的功函数调整
机译:工作功能在二维MOS2场效应晶体管中调整,具有石墨烯和钛源 - 漏极触点