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机译:缺陷表征技术与非辐射多声子电荷俘获模型的比较
IBM STG, 850, rue Jean Monnet, 38926 Crolles, France;
STMicroelectronics, 850, rue Jean Monnet, 38926 Crolles, France;
STMicroelectronics, 850, rue Jean Monnet, 38926 Crolles, France;
Ecole Polytechnique Federale de Lausanne, Lausanne, Switzerland;
STMicroelectronics, 850, rue Jean Monnet, 38926 Crolles, France;
reliability modeling; multiphonon capture; charge pumping; impedance modeling; trap-assisted tunneling;
机译:使用非辐射多声子辅助俘获模型分析缺陷俘获截面
机译:利用多声子发射理论对电荷陷阱闪存中数据保留特性进行建模
机译:利用多声子陷阱电离效应模拟非晶态Al_2O_3中的电荷传输机理
机译:电荷陷阱的表征和建模:从单个缺陷到器件
机译:电荷捕获非易失性半导体存储器件的设计,表征和建模。
机译:超纯藻酸盐(UPAL)凝胶植入对犬骨软骨缺损模型的脱细胞技术的治疗效果和适应性限制
机译:非辐射多光辅助诱饵模型分析缺陷捕获横截面