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机译:基于E逝模式方法的DG-TFET紧凑通道势分析模型
Dr BR Ambedkar Natl Inst Technol, Dept Elect & Commun Engn, Jalandhar, India;
Dr BR Ambedkar Natl Inst Technol, Dept Elect & Commun Engn, Jalandhar, India;
Nanoscale devices; SG-SOI TFET; DG-TFET; Evanescent-mode; Poisson's equation; Analytical modeling;
机译:基于E逝模式方法的DG-TFET紧凑通道势分析模型
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