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机译:InAs / GaAs量子点的数百万原子建模:几何,量化,原子性,应变以及线性和二次极化场的相互作用
So Illinois Univ, Dept Elect & Comp Engn, Carbondale, IL 62901 USA;
So Illinois Univ, Dept Elect & Comp Engn, Carbondale, IL 62901 USA;
Korea Inst Sci & Technol Informat, Natl Inst Supercomp & Networking, Taejon 305806, South Korea;
Univ Melbourne, Sch Phys, Parkville, Vic 3010, Australia;
InAs/GaAs quantum dots; Strain distribution; Piezoelectricity; Tight-binding; Crystal symmetry; Optical transition;
机译:Ingaas应变减少层抑制Inas / gaas量子点垂直光致发光的偏振依赖性
机译:通过自组织各向异性应变工程在InGaAsP / InP(100)上进行波长控制的多层堆叠线性InAs量子点阵列:自排序量子点晶体
机译:InGaAs埋入的InAs / GaAs量子点的光致发光线性极化的温度控制对称性
机译:原子和内极化对GaN / AlN量子点的电子和光学性质的影响:数百万原子耦合的VFF MM-sp 3 sup> d 5 sup> s ∗ < / sup>紧密绑定模拟
机译:在2-D电场下探索InAs / GaAs量子点和量子点分子中的单孔状态
机译:掺杂的自组装InAs / InGaAs / GaAs / AlGaAs量子点中应变相关的光吸收的理论研究
机译:通过自组织各向异性应变工程在InGaAsP / InP(100)上的波长控制的多层堆叠线性InAs量子点阵列:自排序量子点晶体
机译:Inas / Gaas堆积量子点和多量子阱中应变弛豫对拉曼光谱的影响