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机译:具有增强稳定性的位交错低功率10T SRAM单元的设计
Andhra Univ Andhra Univ Coll Engn A Dept ECE Visakhapatnam 530003 Andhra Pradesh India;
Andhra Univ Andhra Univ Coll Engn A Dept ECE Visakhapatnam 530003 Andhra Pradesh India;
Noise margin; delay; power consumption; variability from numerical approach; half-select issue;
机译:超低功耗,高稳定性,正反馈控制(PFC)10T SRAM单元,用于查找表(LUT)设计
机译:低功耗近阈值10T SRAM位单元,具有增强的与数据无关的读取端口泄漏功能,用于32nm CMOS阵列增强
机译:用于LIFI的节能数据相关的低功耗10T SRAM单元设计,使能智能街灯系统应用
机译:拟议的用于写入操作的低功耗10T SRAM单元的稳定性分析
机译:使用碳纳米管场效应晶体管的高性能,高稳定性和低功耗SRAM设计。
机译:功耗优化的变化感知双阈值SRAM单元设计技术
机译:基于10T SRAM逆变器的低功率PPN逆变器