机译:重掺杂锗的电阻率和空穴迁移率
Bell Telephone Laboratories, Inc., Murray Hill, New Jersey;
机译:通过低温固相结晶在绝缘衬底上形成的高空穴迁移率掺锡多晶锗层
机译:锗的空穴迁移率与衬底和沟道方向,应变,掺杂和温度的关系
机译:重掺杂自种锗纳米线电阻行为的直径驱动交叉
机译:同时测量重掺杂n型硅的空穴寿命,空穴迁移率和带隙变窄
机译:低电阻率的锗硅化物接触层形成了用于纳米级CMOS的磷掺杂的硅锗合金源/漏结。
机译:重掺杂自种锗纳米线电阻行为的直径驱动交叉
机译:重掺杂自种锗纳米线电阻行为的直径驱动交叉
机译:硼掺杂硅中空穴迁移率,有效质量和电阻率的温度和掺杂浓度依赖性的理论和实验研究