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Imperfections Associated with Dielectric Breakdown in LiF

机译:LiF介电击穿相关的缺陷

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摘要

Linear imperfections, oriented in or near the 〈110〉 directions, accompany 〈xxy〉 and 〈110〉 electrical breakdown paths formed in LiF single crystals at room temperature. They may be screw dislocation pairs produced by the action of the electrical field on dislocation loops that were generated in the vicinity of the breakdown path.
机译:在室温下,在LiF单晶中形成的〈xxy〉和〈110〉电击穿路径伴随着朝向〈110〉方向或接近〈110〉方向定向的线性缺陷。它们可能是由于电场对击穿路径附近产生的位错环的作用而产生的螺钉位错对。

著录项

  • 来源
    《Journal of Applied Physics》 |1964年第10期|共7页
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  • 收录信息 美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);美国《生物学医学文摘》(MEDLINE);
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  • 正文语种 eng
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