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机译:用幅值内摩擦测量中子辐照铜中位错断裂应力的剂量依赖性
Solid State Division, Oak Ridge National Laboratory, Oak Ridge, Tennessee;
机译:通过内部摩擦技术测量的由于电子和中子辐照引起的初始损伤率的比较。三,中子能量依赖性(67 keV至1 MeV)
机译:通过内部摩擦技术测量的由于电子和中子辐照引起的初始损伤率的比较。二。中子能量依赖性
机译:中子辐照铁和铁铜合金中位错动力学的内摩擦研究
机译:氮与位错的相互作用,取决于振幅依赖的内部摩擦
机译:铜15铝3镍合金(内部摩擦,形状记忆合金)中应力引起的马氏体相变的非线性弹性。
机译:再生计划的剂量依赖性发病中子辐射的小鼠皮肤
机译:从振幅依赖性内部摩擦评估铜合金中微塑性流量应力
机译:中子辐照铜和铜合金的微观结构演变和力学性能的剂量依赖性