机译:通过内部摩擦技术测量的由于电子和中子辐照引起的初始损伤率的比较。三,中子能量依赖性(67 keV至1 MeV)
机译:通过内部摩擦技术测量的由于电子和中子辐照引起的初始损伤率的比较。二。中子能量依赖性
机译:通过内部摩擦技术测量的由于电子和中子辐照引起的初始损伤率的比较。 I.流量和温度依赖性;缩放定律
机译:用幅值内摩擦测量中子辐照铜中位错断裂应力的剂量依赖性
机译:通过用170 keV或1 MeV电子辐照产生的n型和p型4H SiC外延层中的低温光致发光来测量缺陷中心的热历史
机译:I.测量钠23 +氘核反应中某些伽马射线和内部转换电子II。热中子捕获钠和铍的伽马射线谱。三,库仑剥离:理论与实验的比较。
机译:能量为1 keV至10 MeV的中子辐照从聚乙烯转化器出来的质子的特性
机译:中子辐照聚乙烯转换器的质子特征,能量在1 keV和10 meV之间。