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Electron‐stimulated oxidation of InP (100) surfaces studied by Auger electron spectroscopy and by low‐energy‐loss spectroscopy

机译:通过俄歇电子能谱和低能耗能谱研究了InP(100)表面的电子刺激氧化

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摘要

Stimulated oxidation of InP (100) surfaces by primary electron beams was studied by Auger electron spectroscopy. At the point of impact of the incident beam, we concluded that the formation of indium oxide and of a volatile phosphorus oxide occur, which explains the phosphorus depletion of the first monolayers. The low‐energy electron‐diffraction patterns for successive heat treatments and electron‐stimulated oxidations of InP surfaces, and the corresponding characteristic‐energy‐loss spectra were performed. For heat treatments close to the decomposition temperature, we report here on how low‐energy‐loss spectroscopy was used to supply the deficiency of Auger electron spectroscopy, the latter method being unable to detect the formation of indium microdroplets.
机译:通过俄歇电子能谱研究了一次电子束对InP(100)表面的刺激氧化。在入射光束的冲击点,我们得出结论,发生了氧化铟和挥发性氧化磷的形成,这解释了第一单层的磷耗竭。进行了InP表面连续热处理和电子激发氧化的低能电子衍射图谱,以及相应的特征能谱。对于接近分解温度的热处理,我们在这里报告了如何使用低能量损失光谱来弥补俄歇电子光谱的不足,后一种方法无法检测到铟微滴的形成。

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  • 来源
    《Journal of Applied Physics》 |1980年第9期|P.4990-4995|共6页
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  • 收录信息 美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);美国《生物学医学文摘》(MEDLINE);
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