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【24h】

Comment on ‘‘Threshold switching in chalcogenide‐glass thin films’’

机译:评论“硫族化物玻璃薄膜的阈值切换”

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摘要

D. Adler, M. S. Shur, M. Silver, and S. R. Ovshinsky [J. Appl. Phys. 51, 3289 (1980)] propose that field‐induced filling of traps may lead to S‐shaped negative differential conductance (SNDC), and use the existence of two solutions of electron concentration for a given applied field as evidence for it. We comment on the conditions for this existence of two solutions and its significance to the SNDC.
机译:D. Adler,M。S. Shur,M。Silver和S. R. Ovshinsky [J.应用物理51,3289(1980)]提出场致陷阱的填充可能导致S型负微分电导(SNDC),并使用给定应用场中电子浓度的两种解的存在作为证据。我们评论存在这两种解决方案的条件及其对SNDC的意义。

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  • 来源
    《Journal of Applied Physics 》 |1984年第2期| P.578-578| 共1页
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  • 收录信息 美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);美国《生物学医学文摘》(MEDLINE);
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