机译:本征和p型CuIn1-xGaxSe2中的带边缘态密度和载流子浓度
Department of Materials Science and Engineering, Royal Institute of Technology, SE–100 44 Stockholm, Sweden;
机译:本征和p型Culn_(1-x)Ga_xSe_2的带边缘态密度和载流子浓度
机译:椭圆偏振光谱研究载流子浓度对ZnO:Ga和In_2O_3:Sn介电函数的影响:自由载流子和带边吸收的分析
机译:单个p型/本征和本征/ p型Si纳米线中活性B浓度曲线的拉曼表征
机译:多维,闭式分析建模的系统方法:p型Ga / sub l-x / Al / sub x / As中的迁移率和有效固有载流子浓度
机译:X = 0.20、0.40和1.0的汞(1-X)镉(X)碲的缺省化学性质和内在载体浓度
机译:多维闭式分析建模的系统方法:Ga1-xAlxAs异质结构中的有效内在载流子浓度
机译:掺杂浓度对由化学浴沉积法生长的内在N型ZnO(I-ZnO)和(Cu,Na和K)掺杂P型ZnO薄膜的光学和电性能的影响