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机译:缺陷引起的4H-SiC肖特基势垒二极管粒子探测器的性能下降
Japan Atomic Energy Agency (JAEA), 1233 Watanuki, Takasaki, Gunma 370-1292, Japan;
Schottky diodes; annealing; capacitance; deep level transient spectroscopy; particle detectors; silicon compounds; wide band gap semiconductors; 8530Kk;
机译:缺陷引起的4H-SiC肖特基势垒二极管粒子探测器的性能下降
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