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Spin and valley transport in monolayers of MoS2

机译:MoS2单层的自旋和谷输运

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摘要

We investigate theoretically quantum transport and Goos-Hänchen (GH) effect of electrons in a p-n-p junction on monolayers of MoS2. We find that the transmission properties of spin-up (spin-down) electrons in K valley are the same with spin-down (spin-up) electrons in K′ valley due to the time-reversal symmetry. The GH shifts for the transmitted K and K′ beams in the n-p interface are in the opposite direction, and GH shifts for the spin-up and spin-down electron beams at the same valley have different values in the same direction due to the different group velocities. Therefore, the spin-up and spin-down electrons can be separated after passing a sufficiently long channel created by a p-n-p junction. These features provide us a new way to generate a fully spin- and valley-polarized current in monolayers of MoS2.
机译:我们从理论上研究MoS2单层上p-n-p结中电子的量子输运和Goos-Hänchen(GH)效应。我们发现,由于时间反转对称性,K谷中自旋向上(自旋向下)电子的传输特性与K'谷中自旋向下(自旋向上)电子的传输特性相同。在np界面中传输的K和K'束的GH偏移是相反的方向,并且由于不同,在相同波谷处的自旋向上和向下旋转的电子束的GH偏移具有相同的值团体速度。因此,在通过由p-n-p结产生的足够长的沟道之后,可以分离出自旋向上和向下旋转的电子。这些功能为我们提供了一种在MoS2单层中生成完全自旋和谷极化电流的新方法。

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  • 来源
    《Journal of Applied Physics》 |2014年第13期|1-4|共4页
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  • 收录信息 美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);美国《生物学医学文摘》(MEDLINE);
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  • 正文语种 eng
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