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机译:深度陷阱对高电阻率基板射频性能的特征及作用
CEA LETI Univ. Grenoble Alpes 38000 Grenoble France SOITEC Pare technologique des fontaines 38190 Bernin France;
Universite de Toulon Univ. Grenoble Alpes CNRS Institut Neel 38000 Grenoble France;
SOITEC Pare technologique des fontaines 38190 Bernin France;
ICTEAM Universite catholique de Louvain 1348 Louvain-la-Neuve Belgium;
ICTEAM Universite catholique de Louvain 1348 Louvain-la-Neuve Belgium;
ICTEAM Universite catholique de Louvain 1348 Louvain-la-Neuve Belgium;
CEA LETI Univ. Grenoble Alpes 38000 Grenoble France;
机译:两代陷阱丰富的绝缘体上硅衬底的电阻率和射频特性
机译:高真空射频接触应用CuCrZr基体上Au-Ni涂层的热稳定性和电性能表征
机译:超宽带射频集成电路应用中射频接地单片双变压器的图案接地屏蔽和硅衬底效应的表征和建模
机译:利用MOCVD在GaN衬底上生长的GaN pn结中的陷阱的深层瞬态光谱表征
机译:用于高频应用的氮化铝镓/氮化镓HEMT中的陷获效应:使用大信号网络分析仪和深层光谱学进行建模和表征。
机译:基于深陷阱的光电III-V材料的电阻切换
机译:射频磁控溅射表征玻璃和硅衬底上的氧化铜薄膜