机译:场效应晶体管的太赫兹响应度与其静态沟道电导率和负载效应的关系
Laboratoire Charles Coulomb UMR 5221 and TERALAB, Universite Montpellier2 and CNRS,Montpellier 34090, France;
Laboratoire Charles Coulomb UMR 5221 and TERALAB, Universite Montpellier2 and CNRS,Montpellier 34090, France,A.F. Ioffe Physico-Technical Institute, St-Petersburg 194021, Russia;
Laboratoire Charles Coulomb UMR 5221 and TERALAB, Universite Montpellier2 and CNRS,Montpellier 34090, France,P.N. Lebedev Physical Institute ofRAS, 53 Leninskiy Prospect, Moscow 119991, Russia;
Laboratoire Charles Coulomb UMR 5221 and TERALAB, Universite Montpellier2 and CNRS,Montpellier 34090, France,CEA-LETI, MINATEC Campus, 17 rue des Martyrs, Grenoble 38054, France;
Laboratoire Charles Coulomb UMR 5221 and TERALAB, Universite Montpellier2 and CNRS,Montpellier 34090, France;
Laboratoire Charles Coulomb UMR 5221 and TERALAB, Universite Montpellier2 and CNRS,Montpellier 34090, France;
Laboratoire Charles Coulomb UMR 5221 and TERALAB, Universite Montpellier2 and CNRS,Montpellier 34090, France;
机译:硅场效应晶体管对太赫兹辐射的等离子检测:响应度和噪声等效功率
机译:在MOS场效应晶体管中模拟通道热噪声和感应栅极噪声中的非准静态效应
机译:场效应晶体管通道的太赫兹小信号响应
机译:基于太赫兹探测器的场效应晶体管的响应度与衬底厚度的实验和理论研究
机译:基于N沟道InGaAsP-InP的倒置通道技术器件(ICT)的设计,制造和表征,用于光电集成电路(OEIC):双异质结光电开关(DOES),异质结场效应晶体管(HFET),双极倒置沟道场-效应晶体管(BICFET)和双极型反向沟道光电晶体管(BICPT)。
机译:溶液沉积二氧化钌纳米膜中光电导率的静态和时间分辨太赫兹测量。
机译:Terahertz对场效应晶体管对其静态通道电导率和负载效果的响应性
机译:具有二维电子通道的光栅门控场效应晶体管中的等离子体增强电子阻力和太赫兹光电导