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机译:原子层沉积AI_2O_3的比较和(TA_2O_5)_(0.12)(AL_2O_3)_)0.88)栅极电介质对CAN-LAPPEAGAN / GAN金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管的特性
Univ Liverpool Sch Engn Dept Mech Mat & Aerosp Engn Liverpool L69 3GH Merseyside England|ASTAR Inst Mat Res & Engn 2 Fusionopolis Way Singapore 138634 Singapore;
Univ Sheffield Dept Elect & Elect Engn Sheffield S1 3JD S Yorkshire England;
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机译:原子层沉积的AI_2O_3和(Ta_2O_5)_(0.12)(Al_2O_3)_)0.88)栅极电介质在CaN包覆的AIGaN / GaN金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管特性上的比较
机译:钽掺杂和退火对沉积的(Ta_2O_5)_x(Al_2O_3)_(1-x)作为GaN / Al_xGa_(1-x)N / GaN高电子迁移率晶体管的潜在栅极电介质的影响的比较分析
机译:以原子层沉积Al_2O_3作为栅介质的GaN金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管
机译:具有原子层沉积的Al_2O_3栅极介电层的InAs沟道金属氧化物半导体HEMT
机译:GaN上等离子增强原子层沉积介电层的界面电子状态表征。
机译:AlGaN / GaN金属-氧化物-半导体高电子迁移率晶体管中作为栅极电介质的氧化镓膜的原子层沉积
机译:AlGaN / GaN金属-氧化物-半导体高电子迁移率晶体管中作为栅极电介质的氧化镓膜的原子层沉积