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机译:热退火过程中无定形GESN结晶过程的直接观察:抑制Sn偏析的温度窗口
Kyushu Inst Technol Dept Mat Sci & Engn Kitakyushu Fukuoka 8048550 Japan;
Kyushu Inst Technol Dept Mat Sci & Engn Kitakyushu Fukuoka 8048550 Japan;
Osaka Prefecture Univ Dept Mat Sci Sakai Osaka 5998531 Japan;
Osaka Prefecture Univ Dept Mat Sci Sakai Osaka 5998531 Japan;
机译:直接观察非晶态GeSn热退火过程中的结晶过程:抑制Sn偏析的温度窗口
机译:GeSn应变层热退火过程中弛豫和Sn偏析之间的相互作用
机译:在Ge衬底上共溅射非晶GeSn上通过脉冲激光退火形成高Sn含量的多晶GeSn膜
机译:在非晶层上结晶的拉伸应变直接间隙Gesn的高热稳定性
机译:高速含量GESN合金朝向室温中红外激光
机译:Sn2S3半导体片通过热退火的可见光辅助室温氧化气敏行为
机译:在GESN应变层的热退火过程中弛豫和SN偏析之间的相互作用
机译:温度和晶体取向对Fe-si-sn-C合金表面偏析影响的观察