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机译:用于电子检测远红外辐射的铸造互补金属氧化物半导体技术天线耦合肖特基二极管的设计与演示
Texas Instruments Inc Dallas TX 75243 USA|Univ Texas Dallas Richardson TX 75080 USA;
Vilnius Univ Inst Appl Electrodynam & Telecommun LT-10257 Vilnius Lithuania;
Goethe Univ Dept Phys D-60438 Frankfurt Germany;
Univ Texas Dallas TxACE Richardson TX 75080 USA|Univ Texas Dallas Dept Elect Engn Richardson TX 75080 USA;
机译:铸造互补金属氧化物半导体技术中用于电子探测远红外辐射的天线耦合肖特基二极管的设计和演示
机译:0.35μm互补金属氧化物半导体制成的厚检测区单光子雪崩二极管
机译:建立一个简单的脉冲频率调制光电传感器模型,并演示以标准的0.35微米互补金属氧化物半导体技术制造的128 x 128像素的脉冲频率调制图像传感器
机译:在CMOS中使用肖特基势垒二极管进行9.74 THz电子远红外检测
机译:基于体氮化镓的电子设备:肖特基二极管,肖特基型紫外光电探测器和金属氧化物半导体电容器。
机译:使用互补金属氧化物半导体(CMOS)单光子雪崩二极管(SPAD)检测器的药物的荧光抑制时间分辨拉曼光谱
机译:基于金属氧化物半导体的现场可部署实时电子传感器阵列的设计:在绿色辣椒中的血液检测应用
机译:接触金属化和封装技术开发用于siC双极结晶体管,piN二极管和肖特基二极管,专为350°C的长期工作而设计