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机译:两光子吸收时间分辨光致发光在不同表面复合速度下提取半导体本体寿命的数值模拟
Univ New South Wales, SPREE, Sydney, NSW 2052, Australia;
Univ New South Wales, SPREE, Sydney, NSW 2052, Australia;
Univ New South Wales, SPREE, Sydney, NSW 2052, Australia;
Univ New South Wales, SPREE, Sydney, NSW 2052, Australia;
机译:双光子吸收时间分辨光致发光的数值模拟,以在不同的表面复合速度下提取半导体的大量寿命
机译:时间分辨光致发光衰变的厚硅片和砖块体寿命和表面复合速度分离算法
机译:通过半无限半导体平板的光致发光衰减来确定本体少数载流子的寿命和表面/界面的复合速度
机译:确定用于测量半导体本体寿命的两光子时间分辨光致发光极限
机译:硅光生伏打材料中非接触光谱的体寿命和表面复合速度的光谱测量。
机译:时间分辨光致发光测量中具有不同表面处理的薄膜半导体的体相和表面复合特性
机译:薄膜半导体中的体积和表面重组性能,具有不同表面处理的时间分辨光致发光测量
机译:检测器级硅和锗晶体中表面复合速度和体积寿命的测定。