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机译:Ar〜+轰击的KTaO_3中的缺陷,电导率和光电导率
Inst Nano Sci & Technol, Nanoscale Phys & Device Lab, Phase 10,Sect 64, Mohali 160062, Punjab, India;
Inst Nano Sci & Technol, Nanoscale Phys & Device Lab, Phase 10,Sect 64, Mohali 160062, Punjab, India;
Indian Inst Sci Educ & Res Mohali, Sect 81, Manauli 140306, India;
Indian Inst Sci Educ & Res Mohali, Sect 81, Manauli 140306, India;
Indian Inst Sci, Solid State & Struct Chem Unit, Bangalore 560012, Karnataka, India;
RIKEN, Ctr Emergent Matter Sci, 2-1 Hirosawa, Wako, Saitama 3510198, Japan;
Inst Nano Sci & Technol, Nanoscale Phys & Device Lab, Phase 10,Sect 64, Mohali 160062, Punjab, India;
机译:Ar〜+轰击的Ktao_3中的缺陷,电导率和光电导性
机译:Ar离子轰击3C-SiC中有效缺陷扩散长度
机译:Kohlrausch法对光电流瞬态的有效性及N-2 / Ar流量比在溅射的光电导率下的作用
机译:H
机译:氧化锌光阳极上的载流子动力学,持久光电导和缺陷化学
机译:金属K3C60中的太赫兹(THz)光电导和可能的非平衡超导
机译:低能量氩离子轰击半绝缘GaAs中的持续光电导性
机译:用光电导率测量法研究GaN薄膜的缺陷态