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机译:在绝缘体上硅衬底上生长半极性(10-11)GaN:减少缺陷和抑制回蚀
CEA, LETI, MINATEC Campus,17 Rue Martyrs, F-38054 Grenoble, France;
Univ Cote Azur, CNRS, CRHEA Rue Bernard Gregory, F-06560 Valbonne, France;
机译:熔蚀的演变及防止:以图案化硅衬底上生长半极性GaN为例
机译:熔融蚀刻的演化与防范:晶体甘蓝型硅基板上的半极GaN生长的案例研究
机译:通过MOCVD在图案化蓝宝石衬底上生长的(11-22)半极性GaN中的缺陷减少方法:向无基础堆叠缺陷的异质外延半极性GaN迈进
机译:通过氢化物气相外延在图案化的蓝宝石衬底上生长半极性GaN衬底
机译:在半极性(202′1′)GaN衬底上的高功率蓝色激光二极管。
机译:使用两步横向外延过生长过滤半极性(11-22)GaN中的缺陷
机译:在图案化基材上生长的半极性甘生长缺陷的TEM研究
机译:在HpVE生长的模板和自支撑GaN衬底上的N型GaN层的mOCVD生长和蚀刻