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机译:蓝宝石上生长的In_xGa_(1-x)/ GaN外延层中由于V坑形成而引起的应变松弛
机译:在GaN上相干生长的In_xGa_(1-x)N外延膜中的应变弛豫
机译:In_xGa_(1-x)N外延层中缺陷的结构和应变松弛效应
机译:光吸收对在GaN /蓝宝石上生长的In_xGa_(1-x)N(0.05 <×<0.22)的成分和厚度的依赖性
机译:Si基InGaN / GaN外延层中V位形成和应变弛豫的基于位错的热力学模型
机译:通过发光光谱和X射线衍射测定在6H-SiC(0001)衬底上生长的GaN和Al(x)Ga(1-x)N薄膜的应变和组成。
机译:应变松弛对在具有溅射AlN成核层的4英寸蓝宝石衬底上生长的InGaN / GaN绿色LED的性能的影响
机译:用于在蓝宝石上生长的GaN / InGaN外延层中的应变弛豫的渐变InGaN缓冲器