...
机译:嵌入InAs量子点的Au / n-GaAs肖特基二极管中陷阱的深度分布
Department of Physics, University of Thessaloniki, 54124 Thessaloniki, Greece;
机译:具有嵌入式InAs量子点的Au / n-GaAs肖特基二极管中的应力诱导局部陷阱能级
机译:非对称In02Ga08As阱中嵌入InAs量子点的Au / n-GaAs肖特基二极管的噪声特性与热退火温度的快速相关性
机译:具有嵌入式自组装Inas量子点的Au / n-gaas肖特基二极管中电容和反向电流噪声的理想因子相关性
机译:驻留在肖特基二极管中的INAS-量子点上的恒电容DLT
机译:在2-D电场下探索InAs / GaAs量子点和量子点分子中的单孔状态
机译:GaInAs应变降低层与嵌入三结GaInP / Ga(In)As / Ge太阳能电池Ga(In)As子电池中的InAs量子点结合的研究
机译:具有嵌入式InAs量子点的Au / n-GaAs肖特基二极管中的应力诱导局部陷阱能级